【Lai傳媒、記者爆料網/地方中心/綜合報導】AI晶片持續朝更高效能、更複雜架構發展，半導體先進製程也迎來下一波重大技術升級。晶圓代工龍頭台積電（2330）宣布攜手全球曝光設備大廠ASML（艾司摩爾），共同推動High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）光罩從現行6吋升級至12吋，目標2031年前建立試產線、2033年前讓相關微影系統全面就緒，為未來AI先進晶片量產提前布局。
消息也迅速點燃台股相關供應鏈行情，今（9）日家登（3680）、台灣光罩（2338）成為市場焦點，盤中一度雙雙攻上漲停，High NA EUV概念股受到資金追捧。
為何台積電、ASML突然要把光罩變大？
目前半導體先進製程使用的EUV光罩主要為6吋規格，而下一代High NA EUV雖然能提供更精細的曝光能力，但受到曝光範圍限制，在製造大型晶片時可能必須採取拼接方式。
這對未來大型AI、資料中心晶片尤其重要。
ASML指出，目前廣泛使用的EUV設備可以曝光約800平方毫米的大型晶片，輝達、Google等業者設計的資料中心晶片尺寸已接近這個範圍；High NA EUV雖然可以製作更精細的線路，卻面臨大型晶片曝光限制。
因此台積電與ASML決定推動產業從6吋光罩進一步升級至12吋光罩，希望藉此消除High NA EUV需要拼接曝光的限制，同時提升設備生產力並降低晶片製造成本。
台積電2030年導入High NA量產
這項合作並非短期概念。
根據台積電與ASML公布的規畫，台積電預計2030年起將High NA技術導入先進製程量產；雙方則希望在2031年前建立12吋光罩試產線，2033年前讓12吋High NA微影系統準備就緒。
台積電董事長暨總裁魏哲家表示，透過整合產業價值鏈的專業能力，希望持續以創新降低先進技術門檻，讓相關解決方案能夠大規模普及。
隨著AI應用推動晶片架構日益複雜，台積電也預期，未來先進製程需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將逐步增加。
不只台積電 三星、SK海力士也布局High NA
High NA EUV競賽目前已經擴大至全球主要半導體業者。
英特爾目前已使用ASML最新設備進行部分產品生產；三星及SK海力士則瞄準記憶體應用，其中三星及SK海力士皆規畫於2028年將High NA EUV導入DRAM量產。
ASML更預估，若12吋大型光罩計畫順利推進，相關系統生產效率有機會提升約40%。
台廠供應鏈先嗨 家登、光罩盤中攻漲停
新技術尚未正式量產，台灣供應鏈已經率先受到市場關注。
今（9）日家登開盤一度直接攻上573元漲停價，台灣光罩也一度攻上41.5元漲停價，成為High NA EUV題材下的市場焦點。
其中家登長期布局EUV光罩載具，隨著未來光罩尺寸從6吋升級至12吋，光罩傳送、防護、儲存以及相關設備規格也可能跟著改變，因此受到市場高度關注。
不過，12吋光罩距離正式量產仍有數年時間，相關供應鏈最終實際取得多少訂單及營收貢獻，仍須視技術開發、客戶認證與量產進度而定，不宜直接將市場題材等同實際訂單。
